MOSFET de puissance 40V canal-N en boîtier 5 x 6 mm

Posted By : Enaie Azambuja
MOSFET de puissance 40V canal-N en boîtier 5 x 6 mm

Toshiba Electronics Europe lance deux nouveaux MOSFET en boîtier miniature à faible résistance SOP Advance (WF) de 5 x 6 mm, qui vont rejoindre sa gamme de MOSFET de puissance 40V canal-N. Les TPHR7904PB et TPH1R104PB sont qualifiés AEC-Q101 et destinés à différentes applications automobiles, comme les directions à assistance électrique (EPS pour Electric Power Steering en anglais), les interrupteurs de charge, les pompes électriques, les ventilateurs et plus encore.

Fabriqués grâce au procédé U-MOS IX-H de neuvième génération, et logés en boîtier miniature à faible résistance, ces nouveaux MOSFET présentent une résistance à l’état passant (RDS(ON)) de seulement 0,79 mΩ à VGS = 10V, réduisant ainsi les pertes par conduction.

Ces dispositifs sont spécifiés pour une tension drain-source (VDS) de 40V, et acceptent des courants de drain (ID) jusqu'à 150A continu. La conception U-MOS IX-H réduit aussi le bruit de commutation, ce qui contribue à réduire les parasites électromagnétiques (EMI).

Le boîtier SOP Advance (WF) dispose de contacts à flan "mouillable", qui permettent l'inspection automatique des joints de soudure sur les cartes électroniques, une exigence clé pour la conformité à la qualité automobile.

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