Toshiba dévoile sa plateforme de développement FFSA 130 nm

Posted By : Victoria Chercasova
Toshiba dévoile sa plateforme de développement FFSA 130 nm

Düsseldorf, Allemagne - Toshiba Electronics Europe ("Toshiba") a annoncé aujourd'hui la toute première livraison de sa nouvelle plateforme de développement FFSA (Fit Fast Structured Array) basée sur un procédé de fabrication 130 nm. 

Cette plateforme de développement de SoC (System on Chip, ou système sur puce) hautes-performances, à la fois innovante et performante, permet d’obtenir des solutions personnalisées à faible consommation et à faible coût.

Toshiba fournit des plateformes ASIC (Application Specific IC, ou CI spécifique) et FFSA répondant aux besoins techniques et commerciaux de ses clients, qui sont aussi de bonnes solutions pour le développement de SoC personnalisés. Grâce à une approche innovante, tous les dispositifs FFSA disposent d’une couche maîtresse commune en silicium, utilisée conjointement aux couches métalliques supérieures, qui sont réservées et permettent la personnalisation des dispositifs.

La plateforme FFSA répond aux exigences des clients en termes de hautes performances et de faible consommation. Toutefois, en limitant la personnalisation aux seuls masques des couches métalliques, cette plateforme permet de réduire considérablement les coûts de développement. Par conséquent, les échantillons comme les dispositifs produits en série peuvent tre livrés dans des délais beaucoup plus courts que des ASIC conventionnels. Les clients utilisant la méthodologie de conception et la bibliothèque ASIC FFSA sont assurés d’obtenir de meilleures performances et une consommation moindre qu'avec des FPGA (Field Programmable Gate Array, ou circuit prédiffusé programmable).

Le nouveau procédé FFSA 130 nm s’ajoute à l’offre actuelle de procédés 28, 40 et 65 nm de Toshiba, en offrant une option supplémentaire pour l'équipement industriel. Ce processus de fabrication 130 nm propose différentes tranches maîtresses avec jusqu'à 664 ko de RAM et environ 912.000 portes par dispositif.

Les dispositifs conçus sur cette plateforme seront fabriqués par Japan Semiconductor, une filiale de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ayant une longue et solide expérience dans la fabrication d'ASIC, d'ASSP et de micro-ordinateurs. Ceci garantira la continuité d'approvisionnement à long terme et permettra de répondre aux impératifs des plans de continuité d’activité des clients, voire d’aller au-delà.

Les dispositifs basés sur le nouveau procédé FFSA 130 nm offrent les performances et l'intégration nécessaires dans de multiples secteurs, notamment les équipements industriels, les technologies de communication, les équipements bureautiques et bien d’autres.

Downloads


Connectez-vous afin de laisser un commentaire

Laissez un commentaire

Aucun commentaire




Sign up to view our publications

Sign up

Sign up to view our downloads

Sign up

RF & Microwave 2019
20th March 2019
France Paris Expo, Porte de Versailles