La première mémoire flash intégrée UFS version 3.0 sur le marché

19th February 2019
Posted By : Victoria Chercasova
La première mémoire flash intégrée UFS version 3.0 sur le marché

Toshiba Memory Europe (TME) a commencé à échantillonner la version 128 Go de ses mémoires Flash embarquées  UFS (Universal Flash Storage) version 3.0 La nouvelle gamme utilise la mémoire Flash 3D de pointe BiCS FLASH à 96 couches Toshiba, et existe en trois capacités : 128 Go, 256 Go et 512 Go. 

Grâce à ses vitesses de lecture/écriture élevées et à sa faible consommation, ces nouveaux dispositifs conviennent parfaitement aux applications telles que les appareils mobiles, les smartphones, les tablettes et autres systèmes de réalité augmentée/virtuelle.

Les consommateurs continuent d'exiger plus de performances de leurs appareils, ainsi qu’une meilleure expérience utilisateur, et la norme UFS progresse en permanence pour répondre à ce besoin d’évolution. Grâce à son interface série, l’UFS supporte le full-duplex, ce qui permet à la fois la lecture et l'écriture simultanée, entre le processeur hôte et le périphérique UFS. Avec l'introduction de l'UFS 3.0, JEDEC, leader mondial du développement de normes pour l'industrie microélectronique, a amélioré les versions précédentes de la norme UFS pour aider les concepteurs de produits à apporter des améliorations significatives aux appareils mobiles et aux applications associées.

Ces nouveaux dispositifs intègrent une mémoire Flash 3D BiCS FLASH à 96 couches et un contrôleur, dans un boîtier JEDEC standard de 11,5 x 13 mm. Le contrôleur assure la correction d’erreur, le nivellement d'usure, la conversion logique-physique d'adresse et la gestion des blocs défectueux, ce qui simplifie le développement système.

Les trois dispositifs sont compatibles avec la norme JEDEC UFS Version 3.0, y compris HS-GEAR4, dont la vitesse théorique d'interface peut atteindre 11,6 Gbits/s par voie (x 2 voies = 23,2 Gbits/s), tout en prenant en charge les fonctions qui suppriment les augmentations de consommation électrique. Les vitesses de lecture et d'écriture séquentielles du dispositif 512 Go sont en hausse de 70% et 80% respectivement, par rapport aux dispositifs Toshiba 256 Go de génération précédente.

Toshiba a été la première entreprise à introduire des dispositifs UFS et en livre depuis 2013. L'introduction de ces dispositifs UFS Version 3.0 maintient la position de leader de Toshiba en matière de stockage pour appareils mobiles de nouvelle génération, position que l’entreprise compte bien conserver en faisant progresser la technologie.

Des échantillons de ces nouveaux dispositifs seront exposés sur le stand Toshiba (Hall 3A - 424) au salon Embedded World 2019 (du 26 au 28 février à Nuremberg en Allemagne).


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