Mémoire

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Cypress enrichit sa famille de SRAM asynchrones avec une version 4Mbits à correction d'erreur intégrée

Cypress enrichit sa famille de SRAM asynchrones avec une version  4Mbits à correction d'erreur intégrée
Cypress Semiconductor Corp a annoncé l'échantillonnage d'une famille SRAM 4 Mbits à code correcteur d'erreur (ECC) intégré. Cette caractéristique leur permet d'afficher les plus hauts niveaux de fiabilité des données sans recours à des composants externes — une simplification des designs et une réduction de la surface occupée. Ces SRAM assurent la fiabilité des données dans une large variété d'applications allant de la communication au traitement de données, dans le domaine industriel, militaire, médical, grand public ou automobile.
21st April 2015

Toshiba étend sa gamme de produits à mémoire Flash NAND embarquée, conformes e·MMC Version 5.1

Toshiba étend sa gamme de produits à mémoire Flash NAND embarquée, conformes e·MMC Version 5.1
Toshiba Electronics Europe a annoncé le lancement de produits à mémoire flash NAND embarquée, conformes JEDEC e•MMC version 5.1, dotés de fonctionnalités "command queueing" (stockage des commandes en file d'attente) et "secure write protection" (protection d'écriture sécurisée). Ces nouveaux produits intègrent des puces NAND en technologie 15 nm, avec un contrôleur intégré gérant plusieurs fonctions de base d'applications NAND, au sein d'un boîtier unique. Ces dispositifs sont conçus pour servir dans un large éventail de produits numériques grand-public, comme des smartphones, des tablettes ou des appareils portables. Des échantillons de produits 16 Go (THGBMHG7C2LBAIL) et 64 Go (THGBMHG9C8LBAIG) sont livrables dès maintenant, et des produits 32 Go (THGBMHG8C4LBAIR) et 128 Go (THGBMHT0C8LBAIG) vont suivre.
25th March 2015

Toshiba étend et fait évoluer sa gamme de clés USB TransMemory

Toshiba étend et fait évoluer sa gamme de clés USB TransMemory
Toshiba Electronics Europe renforce sa gamme de clés USB à mémoire flash USB, avec les TransMemoryTM 3.0, et TransMemoryTM 2.0 sans capuchon. Les deux types de clé font appel à de la mémoire flash NAND fabriquée par Toshiba, afin d'assurer aux utilisateurs que leurs données sont bien stockées et conservées en toute sécurité.
19th March 2015


IDT présente un multiplexeur rapide pour NVDIMM DDR4, et est également choisi par Micron comme fournisseur préféré

IDT présente un multiplexeur rapide pour NVDIMM DDR4, et est également choisi par Micron comme fournisseur préféré
Integrated Device Technology, Inc a présenté aujourd'hui un multiplexeur rapide qui vient étendre l'offre de produits DDR4 de la société, destiné à l'écosystème naissant NVDIMM (Non-Volatile Dual In-line Memory Module, ou module mémoire non-volatile). En outre, Micron Technology a choisi IDT comme fournisseur préféré pour ses multiplexeurs NVDIMM, destinés au marché des serveurs d'entreprise et du Cloud. 
9th March 2015

Cypress et HLMC font la démonstration de cellules opérationnelles en technologie 55-nm pour mémoires Flash embarquées

Cypress Semiconductor Corp et Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC) annoncent aujourd'hui que leurs sociétés ont développé des cellules silicium fonctionnelles à base de la technologie SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) de Cypress pour mémoires Flash, dans un process 55 nm. Les cellules sont destinées aux applications cartes à puce et Internet des Objets (IdO). La technologie SONOS de Cypress est caractérisée par un faible coût wafer et puce et une réductibilité inégalée en vue de développements futurs. La technologie et sa Propriété Intellectuelle (IP) pour le design sera mise à la disposition des clients de HLMC au 2è semestre 2015 pour une production en volume.
25th September 2014

Leader dans le secteur des RAM non-volatiles, Cypress étend son portefeuille avec la nouvelle famille des nvSRAM parallèles à 16 Mbits

Leader dans le secteur des RAM non-volatiles, Cypress étend son portefeuille avec la nouvelle famille des nvSRAM parallèles à 16 Mbits
Cypress Semiconductor Corp a introduit une famille de mémoires vives statiques non- volatiles à16 Mbits (nvSRAM), comprenant des dispositifs avec interfaces 1.0 standard à Open NAND Flash Interface (ONFI) parallèles asynchrones et asynchrones. La famille nvSRAM 16 Mbits vient élargir le portefeuille de Cypress pour s'adapter aux applications critiques tels que les  contrôleurs logiques programmables (PLC) haut de gamme, les enregistreurs de données à haut débit/d'erreurs dans les équipements de stockage, les équipements de réseau, systèmes avioniques et machines de jeux électroniques.
7th July 2014

Rutronik Embedded: Modules à Mémoire Flash NAND Embarquée de Toshiba

Rutronik Embedded: Modules à Mémoire Flash NAND Embarquée de Toshiba
Les nouveaux modules à mémoire flash NAND embarquée de Toshiba intégrent des puces NAND produites en technologie 19nm de second génération. Ils sont conformes à la toute dernière norme e•MMC et ils sont qualifiés à un large éventail d’applications grand-public, comme les smartphones, les tablettes ou les caméras vidéo numériques. Les modules à mémoire flash NAND sont disponibles au distributeur Rutronik à partir de maintenant.
12th June 2014

Microchip présente un circuit intégré de mémoire Flash parallèle de 64 Mbits basé sur une technologie de pointe

Microchip présente un circuit intégré de mémoire Flash parallèle de 64 Mbits basé sur une technologie de pointe
Microchip annonce le lancement d’un nouveau composant de mémoire Flash, le SST38VF6401B. Le SST38VF6401B est un composant CMOS Advanced MPF+ (Advanced Multi-Purpose Flash Plus) de 4M x16 fabriqué à partir de la technologie CMOS SuperFlash ultra performante de Microchip, une cellule de mémoire flash à grille fractionnée avec injection par effet tunnel dans un oxyde épais, pour une fiabilité et des possibilités de fabrication accrues. Ce circuit intégré est conforme au standard JEDEC pour les mémoires x16 en matière d’affectation des broches.
29th May 2014


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