Nouvelle puce de 5 nm quadruple la durée de vie des batteries

6th June 2017
Source: IBM
Posted By : Alice Matthews
Nouvelle puce de 5 nm quadruple la durée de vie des batteries

Pour ceux qui craignent que leur smartphone n’est pas assez puissant, la dernière innovation d’IBM vous sauvera. Le géant de la haute technologie a introduit la première puce gravée en 5 nm qui permettra d'augmenter le nombre de transistors d'une manière impressionnante. En collaboration avec Samsung et GlobalFoundries, IBM a développé un processus industriel pour la fabrication de transistors en silicium qui permettront de créer des puces avec une finesse de gravure de 5 nm.

Depuis le développement des premiers ordinateurs et portables, la quête pour la miniaturisation a fait progresser l’industrie technologique. Cependant, il est difficile de garder le taux de progrès expliqué par le fondateur d’Intel, Gordon Moore. Selon la loi de Moore le nombre de transistors sur un circuit double tous les deux ans. Avec l’introduction de cette nouvelle puce, IBM a réussi une nouvelle fois ce pari.

Selon le communiqué de presse d'IBM et de ses partenaires, cette nouvelle technologie permettra d'augmenter la rapidité des processeurs classiques de presque 40 %. Alors qu'il est aujourd'hui possible de stocker entre 10 et 15 milliards de transistors sur une puce gravée en 10 nm, la gravure en 5 nm devrait permettre d'en stocker, sur une puce de la même taille, le double, soit jusqu'à 30 milliards de transistors.

Cette avancée permet d'améliorer d’une façon considérable les exigences futures des systèmes d'intelligence artificielle (IA), de la réalité virtuelle et des appareils mobiles. De plus, elle fait avancer l’IoT et des autres applications Cloud. Les économies d’énergie peuvent aussi améliorer la durée de vie des batteries. Avec la nouvelle puce d’IBM, la durée de vie de la batterie pourrait quadrupler.

« Afin d’assurer que les entreprises répondent aux demandes du cognitif et cloud computing, il faut faire avancer la technologie des semi-conducteurs, » a affirmé Arvind Krishna, vice-président senior, Hybrid Cloud, et directeur, IBM Research.

IBM travaille sur la technologie des semi-conducteurs « nanosheet » depuis dix ans. Cependant, cette avancée est le premier à montrer la faisabilité de la conception de dispositifs nanosheet empilés avec des propriétés électriques supérieures à l'architecture FinFET.

Quant à la structure du transistor, IBM a combiné des piles de ces feuilles minuscules à l'aide d'un processus appelé Lithographie Extreme Ultraviolet (EUV). Ce processus permet d'ajuster la largeur des nanosheets en continu, tout au long d'un processus de fabrication unique ou d'une conception de puce. Par conséquent, les transistors peuvent être ajustés pour les circuits spécifiques dans lesquels ils doivent être utilisés.

Le dévoilement de ce nœud de 5nm fait partie de l'investissement de 5 milliards de dollars d'IBM sur cinq ans d'investissement dans la recherche et développement (annoncé en 2014). Il va falloir attendre quelques années avant la fabrication de masse.


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