SemiSouth Laboratories, Inc

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SemiSouth Laboratories, Inc articles

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SemiSouth annonce des JFET SiC de 1700V/1400mΩ qui simplifient la conception d’alimentations triphasées à allumage rapid

SemiSouth Laboratories, Inc., le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, annonce un JFET SiC de 1700 V / 1400 mΩ qui simplifie la conception des circuits d’allumage dans les alimentations auxiliaires triphasées.
29th May 2012

SemiSouth est le 1er à échantillonner des JFET SiC de 650 V / 55 mΩ

SemiSouth Laboratories, Inc. annonce à nouveau une première mondiale. Après avoir lancé en 2008 les premiers transistors de puissance JFET 1200 V commerciaux à grille en tranchée, maintenant utilisés en volume par de nombreux fabricants d’alimentations ininterruptibles, de produits haute fiabilité, de systèmes audio et d’inverseurs solaires, SemiSouth délivre les premiers JFET SiC de 650 V de l’industrie. La haute fréquence de commutation, la gestion de forts courants et les propriétés thermiques des dispositifs SiC en font des produits idéaux pour les applications d’électronique de puissance. Leur structure JFET à tranchée verticale leur permet d’atteindre les meilleures valeurs de résistance passante spécifique de l’industrie, jusqu’à cinq à dix fois plus basses que les technologies concurrentes.
29th May 2012

SemiSouth annonce sa 2nde extension majeure de capacité de production en 18 mois

SemiSouth Laboratories, Inc annonce ce jour avoir réalisé sa seconde extension majeure de capacité de production en moins de 18 mois. Cette extension soutiendra la croissance de la production de carbure de silicium de SemiSouth et permettra de mieux servir ses clients, qui ont rapidement adopté les diodes et transistors de puissance avancés de la société. La technologie SiC de SemiSouth rend possible une conversion d’énergie ultra efficace dans les inverseurs solaires et d’éoliennes, les véhicules électriques et hybrides, les moteurs à traction et d’autres applications tirant profit d’une efficacité énergétique exceptionnellement élevée.
17th April 2012


Le SemiSouth, un leader du SiC, présente une carte de démonstration de JFET SiC montés dans une configuration de cascode demi-pont

Le SemiSouth, un leader du SiC, présente une carte de démonstration de JFET SiC montés dans une configuration de cascode demi-pont
SemiSouth Laboratories, Inc., le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, présente une carte de démonstration équipée de ses JFET SiC montés dans une configuration de cascode demi-pont. Destinée à l’évaluation rapide des JFET SJDP120R085, cette plateforme de démonstration convient à de nombreuses applications, comme les étages de puissance demi pont d’alimentations boost, buck, inverseur et adaptateur. Dans la configuration en cascode, le JFET est commandé via un MOSFET connecté à sa source, ce qui permet d’utiliser des commandes de MOSFET disponibles sur le marché.
27th February 2012

L’inverseur de plus forte densité de puissance au monde utilise les JFET SiC de SemiSouth

SemiSouth Laboratories annonce que ses JFET en carbure de silicium sont utilisés dans de petits inverseurs de 0,5 litre de volume, qui atteignent une densité de puissance de 30 kWh/l. Selon les estimations, lorsque les panneaux photovoltaïques utiliseront des inverseurs de cette taille et de cette capacité, il sera possible de fournir assez d’électricité pour cinq ménages avec un seul inverseur.
30th November 2011

Premier Farnell signe un accord de distribution et de stockage mondial avec SemiSouth

Dans le cadre de la focalisation de la société sur les ingénieurs de conception électronique, le développement de son activité sur le Web et la croissance dans les marchés émergents, Premier Farnell plc (LSE:pfl), a annoncé un accord de distribution et de stockage mondial avec SemiSouth Laboratories, Inc., le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour les applications de gestion et de conversion d’énergie haute puissance et à rendement élevé.
30th August 2011

SemiSouth lance la diode Schottky SiC de puissance de plus fort courant au monde (60 A)

SemiSouth Laboratories, Inc., le fournisseur leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, lance la diode Schottky SiC SDP60S120D, qui est spécifiée pour 1200 V, 60 A (à la température de boîtier Tc de 145°C), soit le plus haut courant direct (IF) du monde pour une diode SiC.
17th May 2011

SemiSouth se dote d’un nouveau président et de deux directeurs commerciaux pour accompagner la période de croissance euphorique qui suit l’investissement de Power Integrations

SemiSouth Laboratories, Inc., fabricant leader de dispositifs en carbure de silicium (SiC) pour applications de conversion et gestion d’énergie de forte puissance et haut rendement en milieu difficile, annonce que deux nouveaux membres viennent rejoindre son équipe dirigeante pour faire face à la croissance rapide qui a suivi l’important investissement de Power Integrations (Nasdaq: POWI), leader des circuits intégrés analogiques haute tension pour conversion d’énergie.
24th March 2011

SemiSouth livre en volume ses JFET SiC de forte puissance et haut rendement

SemiSouth Laboratories Inc annonce avoir commencé la livraison en volume de sa nouvelle famille de JFET à tranchée verticale, qui inclut les premiers dispositifs normalement ouverts atteignant 50 kW. La société va rapidement étendre la capacité de production de son unité de fabrication de tranches SiC de Starkville, Mississipi, USA. SemiSouth est un fabricant complètement indépendant, à production verticalement intégrée, qui détient le procédé SiC épitaxial à tranchée verticale le plus avancé au monde. Son concept propriétaire et breveté de puce JFET auto alignée permet d’obtenir des tailles de puce 10 fois plus petites que les MOSFET silicium à super jonction ou les IGBT à grille en tranchée les plus récents. Il détient aussi le record de la résistance passante spécifique la plus basse pour un transistor de puissance de 1200 V, de moins de 2,5 mΩ/cm².
28th February 2011


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